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BSN20BK中文资料

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  • 描述:BSN20BK 60 V, N-channel Trench MOSFET 18 December 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFET technology ? ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM 3. Applications ? Relay driver ? High-speed line driver ? Low-side loadswitch ? Switching circuits 4. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit V DS drain-source voltage - - 60 V V GS gate-source voltage T j = 25 °C -20 - 20 V V GS = 10 V; T amb = 25 °C [1] - - 265 mA I D drain current V GS = 10 V; T sp = 25 °C - - 330 mA Static characteristics R DSon drain-source on-state resistance V GS = 10 V; I D = 200 mA; T j = 25 °C - 2.1 2.8 Ω [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and mounting pad for dr

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更新时间:2023-01-05 10:06:40
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